Traduction de «mémoire volatile syn mémoire non rémanente » (Français → Allemand) :

Chaque compteur est remis à zéro seulement en cas d’effacement de la mémoire rémanente (par exemple, incident de reprogrammation, etc.) ou, si les nombres sont enregistrés dans une mémoire volatile (KAM), lorsque la KAM est effacée à la suite d’une coupure de courant dans le module de commande (par exemple, déconnexion de la batterie, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

Alle Zählfunktionen dürfen nur dann auf Null gesetzt werden, wenn es zum Rücksetzen eines nichtflüchtigen (energieunabhängigen) Speichers (z. B. durch eine Neuprogrammierung usw.) kommt, oder wenn die Zahlenwerte in einem batteriebetriebenen Diagnosespeicher (KAM: Keepalive-Memory) gespeichert werden und dieser Speicher aufgrund einer Unterbrechung der Stromzufuhr am Steuermodul (z. B. durch Abklemmen der Batterie usw.) gelöscht wird.

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3.6.6. Chaque compteur est remis à zéro seulement en cas d’effacement de la mémoire rémanente (par exemple, incident de reprogrammation, etc.) ou, si les nombres sont enregistrés dans une mémoire volatile (KAM), lorsque la KAM est effacée à la suite d’une coupure de courant dans le module de commande (par exemple, déconnexion de la batterie, etc.).

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2007-06-19]

3.6.6. Alle Zählfunktionen dürfen nur dann auf Null gesetzt werden, wenn es zum Rücksetzen eines nichtflüchtigen (energieunabhängigen) Speichers (z. B. durch eine Neuprogrammierung usw.) kommt, oder wenn die Zahlenwerte in einem batteriebetriebenen Diagnosespeicher (KAM: Keepalive-Memory) gespeichert werden und dieser Speicher aufgrund einer Unterbrechung der Stromzufuhr am Steuermodul (z. B. durch Abklemmen der Batterie usw.) gelöscht wird.

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3.6.6. Chaque compteur est remis à zéro seulement en cas d’effacement de la mémoire rémanente (par exemple, incident de reprogrammation, etc.) ou, si les nombres sont enregistrés dans une mémoire volatile (KAM), lorsque la KAM est effacée à la suite d’une coupure de courant dans le module de commande (par exemple, déconnexion de la batterie, etc.).

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3.6.6. Alle Zählfunktionen dürfen nur dann auf Null gesetzt werden, wenn es zum Rücksetzen eines nichtflüchtigen (energieunabhängigen) Speichers (z. B. durch eine Neuprogrammierung usw.) kommt, oder wenn die Zahlenwerte in einem batteriebetriebenen Diagnosespeicher (KAM: Keepalive-Memory) gespeichert werden und dieser Speicher aufgrund einer Unterbrechung der Stromzufuhr am Steuermodul (z. B. durch Abklemmen der Batterie usw.) gelöscht wird.

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L'objectif de ce centre de RD « HyperSoc » est de concevoir et de développer une nouvelle génération de puces (120 nm-90 nm Mémoires non volatiles, mémoire magnétiques).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2004-03-15]

Ziel dieses FuE-Zentrum „HyperSoc" ist die Konzipierung und Entwicklung einer neuen Speichergeneration von 120 nm-90 nm nicht volatiler Speicher und Magnetspeicher.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2004-03-15]

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Celles-ci sont alors montées pour former des dispositifs prêts à l'emploi qui sont incorporés dans des appareils électroniques ou des cartes-mémoires. Une EPROM est une mémoire rémanente à semi-conducteurs programmable électriquement et effaçable par UV. La mémoire flash, quant à elle, est une mémoire rémanente à semi-conducteurs qui est à la fois p ...[+++]

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Diese Mikrochips werden in Bauelementen zur Verwendung in elektronischen Geräten oder Speicherkarten zusammengefaßt. Ein EPROM ist ein nichtflüchtiger, elektrisch programmierbarer Halbleiterspeicher, dessen Inhalt durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht gelöscht werden kann. Ein Flash- Speicher ist ebenfalls ein nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, der aber sowohl elektrisch programmiert als auch elektrisch gelöscht werden kann und dabei eine schnellere Löschung als ein EPROM ermöglicht.

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L'opération notifiée consiste en un accord portant sur la création d'une coentreprise, dénommée Fujitsu AMD Semiconductor, qui produira des plaquettes pour certains types de mémoires rémanentes, en l'occurence des EPROM (mémoires mortes programmables électriquement), et de mémoires flash avec des géométries de 0,5 micron au moins.

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Das angemeldete Vorhaben umfaßt eine Vereinbarung zur Gründung des Gemeinschaftsunternehmens Fujitsu AMD Semiconductor, das Halbleiterscheiben für bestimmte Arten von nichtflüchtigen, elektrisch änderbaren Festwertspeichern (EPROMs) und Flash-Speicher mit Geometrien von 0,5 Mikrometern und darunter herstellen soll.

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C'est la raison pour laquelle les mémoires flash font actuellement figure de produits haut de gamme sur le marché des mémoires rémanentes.

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Daher werden sie vorerst nur in Geräten mit nichtflüchtigen Speichern des höherwertigen Marktsegments eingebaut.

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Date index: 2024-03-26