I prodotti oggetto del riesame sono alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea («il prodotto in esame»).
Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend „betroffene Ware“ genannt).
